蒸銦專用設備，滿足高品質(zhì)銦柱沉積的需要，具有成熟的蒸銦的工藝，具有優(yōu)化的Lift-off工藝設計，滿足高厚度、回流、倒裝冷焊的工藝前道要求。

用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜。 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD。 具備近100種膜層工藝。

用于超導量子實驗室制備超導結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高穩(wěn)定性和可重復性超導結(jié)。

外延生長二維材料以及拓撲材料、氧化物、氮化物等，如III-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等

利用激光轟擊靶材沉積異質(zhì)結(jié)構(gòu)金屬氧化物（如Fe/SrTiO3、Nb/SrTiO3、BiFeO3等）、高溫超導材料、硅氧化物、高K氧化物、金屬氮化物、鐵電材料等

蒸銦專用設備，滿足高品質(zhì)銦柱沉積的需要，具有成熟的蒸銦的工藝，具有優(yōu)化的Lift-off工藝設計，滿足高厚度、回流、倒裝冷焊的工藝前道要求。

適用于各種硅、電介質(zhì)、化合物半導體、金屬、聚合物和光刻膠等材料的等離子蝕刻。

使用離子源，將靶材（金屬或電介質(zhì)）沉積或濺射到基片上，以形成金屬或電介質(zhì)膜。因為離子束是等能的（離子具有相等的能量），且高度準直，所以與其他PVD（物理氣相沉積）技術(shù)相比，其能夠精確地控制厚度，并沉積非常致密的高質(zhì)量薄膜。

可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、聚合物、陶瓷、紅外和超導等材料。 離子束刻蝕在非硅材料方面優(yōu)勢明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。

用于在超高真空環(huán)境下制備高性能的Nb、Ti、Al、NbTi等低溫超導薄膜和Fe、Co、Ni及合金等磁性薄膜。

超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機

多功能Cluster團簇式薄膜沉積/刻蝕系統(tǒng)MBE/PLD/ALD/ICP/RIE/Sputter/IBE/EBE